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為什么頻繁投切電容器建議采用可控硅開(kāi)關(guān)?

來(lái)源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2020-11-03    瀏覽量:載入中...

在低壓配電網(wǎng)絡(luò)中,運(yùn)行著大量的感性無(wú)功負(fù)荷需要進(jìn)行補(bǔ)償,否則,將使網(wǎng)絡(luò)損耗增加,電壓質(zhì)量惡化。為了提高供用電質(zhì)量,降低線損和節(jié)能,以及充分利用設(shè)備的容量,以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件,接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據(jù)控制物理量的變化,進(jìn)行電容器的投切。但是,若無(wú)功負(fù)荷經(jīng)常波動(dòng)變化,而裝置又需要將cosΦ控制在較高水平時(shí),電容器的投切,往往就比較頻繁,從而可能給電容器造成危害,使其早期損壞。

以接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補(bǔ)償裝置,頻繁進(jìn)行電容器的投切會(huì)產(chǎn)生以下危害:
1、電容器投入時(shí),產(chǎn)生過(guò)電壓與過(guò)電流
2、頻繁的過(guò)電壓對(duì)自愈式并聯(lián)電容器會(huì)造成危害,使電容器的絕緣介質(zhì)老化過(guò)程加速,過(guò)電壓使電容器自愈性能提前失效,使電容器的局部放電加劇,促進(jìn)絕緣老化和電容量衰減。
3、沖擊過(guò)電流使自愈式并聯(lián)電容器噴金層和金屬化層的接觸狀況變壞,甚至出現(xiàn)噴金層脫落。使電容器的tgδ增加,提高了運(yùn)行溫度,縮短使用壽命。

建議:
適當(dāng)延長(zhǎng)投切時(shí)間間隔,實(shí)行循環(huán)投切,減少投切次數(shù),使這滿(mǎn)足GB/12747-1991的有關(guān)要求。
為限制沖擊電流對(duì)噴金層與金屬化層接觸質(zhì)量的損害,必須采取相應(yīng)的技術(shù)措施,如串入小電感或采用專(zhuān)用接觸器等,建議將沖擊電流的峰值限制在20In以?xún)?nèi)。
可控硅開(kāi)關(guān)
當(dāng)然,以上的建議只能起到減小損害的作用,治標(biāo)不治本。根本的解決辦法是采用可控硅開(kāi)關(guān)來(lái)替換接觸器投切開(kāi)關(guān)可控硅開(kāi)關(guān)電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

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